米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

75

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

90

最大漏极电流Id(on)(A)：

40

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,90mΩ,40A,N沟道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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