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产品中心（xīn）

功率器件SJ-MOSFET产品优势及应用点击查（chá）看选（xuǎn）型表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光罩层（céng）数，生产周期更短，更具（jù）成本优势
低内阻: 特殊的超结结构让高压（yā）超结MOS内阻在同（tóng）样面积情况下降低到（dào）VDMOS的1/3-1/5
更（gèng）高（gāo）效率: 较（jiào）高的（de）轻载，满载效率，超（chāo）低的导通内阻，有效的降低导（dǎo）通、开关（guān）损耗
低（dī）温升（shēng）: 较低的功耗，有效（xiào）的降低电源整体的工作温度，延长电（diàn）源的使用寿命
易用性: 使用（yòng）过程中（zhōng）简单（dān）易用，驱动电流需求（qiú）小，对新一代高速开关电（diàn）源提供有（yǒu）力（lì）的支持
应用范围广: 适宜于对系统（tǒng）效率有更高要求的（de）照（zhào）明应用、各类电源、适配器及智（zhì）能（néng）手机、平板电（diàn）脑充电器中，以及大功率（lǜ）充电桩， LED电源、通讯、服（fú）务（wù）器电源（yuán）等（děng）

SJ-MOSFET产品应用