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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道（dào）

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,360mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET



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