米兰





漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

20

驱动电压(V)：

10

通道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述（shù）：

600V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


米兰

米兰