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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

5

驱动电压（yā）(V)：

10

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

DPAK-3/-55~125

描（miáo）述：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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