米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结（jié）技术的功率MOSFET



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