米兰





漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极（jí）性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

PDFN8*8/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于（yú）超级（jí）结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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