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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 250 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 290 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 15 |
通道极(jí)性: | N沟道 |
封装/温度(dù)(℃): | TO-252-2L/-55~125 |
描述: | 650V,290mΩ,15A,N沟道基于(yú)超级结技(jì)术的功率MOSFET |
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