米兰






漏源电压BV DSS (V)(Min.):

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

290

最大漏极电流Id(on)(A):

15

通道极(jí)性:

N沟道

封装/温度(dù)(℃):

TO-252-2L/-55~125

描述:

650V,290mΩ,15A,N沟道基于(yú)超级结技(jì)术的功率MOSFET


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