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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

24

驱动电压(V)：

10

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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