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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

8

通道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET


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