米兰





漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

24

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述（shù）：

600V,150mΩ,24A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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