米兰





漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

15

通道极（jí）性：

N沟（gōu）道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结（jié）技术的（de）功率MOSFET


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