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产品(pǐn)中心(xīn)
漏源(yuán)电压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 110 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 140 |
最大漏极电流(liú)Id(on)(A): | 25 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(dù)(℃): | TO-220F-3L/-55~125 |
描述: | 550V,140mΩ,25A,N沟道(dào)基于超级结技术的功率MOSFET |
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