CW32L010系（xì）列产品（pǐn）是基于 eFlash 的单芯片低功（gōng）耗微控制器，集成了主（zhǔ）频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速（sù）嵌入式存（cún）储（chǔ）器（多（duō）至（zhì） 64K 字节 FLASH 和（hé）多（duō）至 4K 字节 SRAM）以及一（yī）系（xì）列全面的（de）增强型外设和 I/O 口。

内部框图

所有型（xíng）号都（dōu）提（tí）供全套的通信（xìn）接口（二路（lù） UART、一路 SPI 和一路 I2C）、12 位高（gāo）速 ADC、四（sì）组通（tōng）用和（hé）基本定时器、一组低功耗定时器以及一组高级控制 PWM 定时器。

CW32L010 可以在 -40℃到（dào） 85℃的温度范围内工（gōng）作，供（gòng）电电压宽（kuān）达 1.62V ~ 5.5V。支（zhī）持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗工作（zuò）模式CW32L010 可以（yǐ）在 -40℃到 85℃的（de）温度范围内（nèi）工（gōng）作，供电电压（yā）宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两种低功耗工（gōng）作（zuò）模式（shì）。

确（què）保高（gāo）访问速度（dù）：可确（què）保指令的快（kuài）速（sù）执行，满足实时性要求高（gāo）的应用场景。

易于升级（jí）迭代：在同等成本下（xià），扩大存（cún）储容量（liàng），为用户提供同级最宽（kuān）裕的程序和非易失存储空（kōng）间（jiān），使得产品在面临功能（néng）升（shēng）级（jí）或（huò）迭代时，能（néng）够更加灵活地进行软件更新和扩展。

减少EEPROM依（yī）赖：通过提供充（chōng）足（zú）的非易失性存储，减少了对外（wài）部EEPROM的依赖（lài），降低了系统成（chéng）本和复杂（zá）性。

耐用（yòng）性更（gèng）高（gāo）：Flash擦（cā）写寿（shòu）命高达10,000次，符合标杆要求，确保了产品的长期稳定运行。

2、黑客级代（dài）码安全防护

在微控制器（MCU）领域，保护用户（hù）的代码和（hé）知识产权至关重要。CW32L010系列MCU，以其创新的（de）安全特（tè）性，为用（yòng）户提供（gòng）了一个坚（jiān）不可摧（cuī）的（de）代（dài）码（mǎ）保护解决方案。

尽管目前（qián）大多数MCU都支持多种安全等级，阻止通过（guò）SWD/ISP接口（kǒu）读取Flash内容。但通过下载间谍程序，用（yòng）挟（jiā）持（chí）内（nèi）核的方式对Flash指令区（qū）做数据访问一般都（dōu）被允许。

CW32L010系（xì）列产品可（kě）以阻止这个（gè）入侵，我（wǒ）们允许用户（hù）划定一块指令（lìng）存储（chǔ）区域（yù），只能（néng）通（tōng）过指令总线取指（zhǐ）令执行，不允许通过数据总线访问数据。在这个区（qū）域内（nèi），即使攻击者（zhě）尝试通过下载间谍程序挟（jiā）持内核，也（yě）无法访问这块被保护的存储区（qū）域。用户（hù）可以将包含（hán）敏（mǐn）感算法和关键功（gōng）能的代码（mǎ）库存储在（zài）该区域，确保（bǎo）这些（xiē）核心（xīn）资产（chǎn）只能被调（diào）用，无法（fǎ）被复制（zhì）或篡改。

超低功耗工作（zuò）模式非常多，一（yī）般用户较关（guān）注待机电流（liú）（常温/高温）、全速运行电（diàn）流等（děng）几个主要（yào）指（zhǐ）标。

CW32L010采用特别工（gōng）艺制程（chéng），将（jiāng）待机电流控制在0.3uA，高（gāo）温待机电（diàn）流（liú）是竞品（pǐn）平均水平的1/4~1/8。

5、RTC补偿精度是0.060ppm，支持亚秒级（jí）读（dú）数

CW32L010在设计（jì）时对RTC补偿（cháng）机制（zhì）进行了（le）优化，可选择32，128，256秒为一个补偿周（zhōu）期，最精（jīng）细的（de）补偿精度可（kě）达到0.060ppm，支持亚秒级读（dú）数（shù）。

6、全面升（shēng）级的低（dī）功耗串口（kǒu），支持LIN、RS485硬（yìng）件使能

低功耗串口接收数据可灵活配置接口电平，可产生关键字中断和帧超时中断，支（zhī）持LIN、RS485硬件（jiàn）使能、TXD和RXD互（hù）换及内部回环功（gōng）能、LSB/MSB硬件（jiàn）转（zhuǎn）换。

7、85℃ Latch Up测试成（chéng）绩优异，闩锁（suǒ）门限测（cè）试成绩高达±600mA

在（zài）MCU的设计（jì）和应用中，静电放电（ESD）的防护能力是（shì）衡（héng）量产品可（kě）靠性的重要指标（biāo）之一。其中高温Latch Up（闩锁（suǒ））测试可（kě）以说明一定问题，CW32L010在高温Latch Up（闩锁）测试中表现出色，闩锁门（mén）限测（cè）试成绩高达±600mA，远高（gāo）于行业一般水平（píng），相比竞品（pǐn）一般水平为3~6倍。强大的（de）ESD防（fáng）护能够（gòu）保护MCU内部数据（jù）不受静电放电的影（yǐng）响以及在各种环境下的长期稳（wěn）定运行。

8、16路ADC输入2M采样率，采样（yàng）保持时（shí）间可独（dú）立配置

9、内部时（shí）钟源特性无惧挑剔

CW32L010系（xì）列（liè）产（chǎn）品（pǐn）提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封（fēng）装形式（shì），不同封装（zhuāng）的产品（pǐn）所能实现的功能有所不同，具体情况如下表（biǎo）所示（shì）：

 CW32L010 家族（zú）产品功能（néng）列（liè）表