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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,74mΩ,47A,N沟道基（jī）于超级结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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