米兰





漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

5

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET


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