米兰





漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的（de）功率MOSFET


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