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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道（dào）

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

PDFN8*8/-55~125

描述（shù）：

650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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