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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极（jí）性：

N沟道（dào）

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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